值得关注的是,源于测试内容还通过YouTube进行了视频回放,吸引了不少观众。
小题图3 SnS2器件的电子测量a)SnS2 FETs的横截面示意图。c)在300~900nm的Vd =2V时,源于原始SnS2器件的时间分辨宽带光响应。
(2)在国际上率先提出并成功合成了二维无机分子晶体,小题将二维分子晶体的概念从有机分子引入到无机分子,极大地扩展了分子晶体研究领域。源于主要从事二维材料/异质结的可控制备及其光电性能的研究。图2 DFT理论计算得到的形成能、小题电荷转移和能带结构a)计算出SnS2晶体中5种可能的S相关缺陷的缺陷形成能。
源于d)原始SnS2 FETs的相应输出特性。小题c)原始(黑色)和经O2等离子体处理的SnS2(红色)的吸收光谱。
(3)创造性提出可重构高效二维双极晶体管概念,源于成功实现基于铁电剩余极化效应的可控掺杂方案,源于并以可重构的局域铁电极化发展出高性能的双极型光电晶体管,推动了光电子器件工艺的微型化和集成化。
通过实验研究和第一性原理计算,小题解释了处理过的SnS2能带结构变化的基本物理原理。b)原始(黑色)和经O2等离子体处理的SnS2(红色)器件的门控响应(Ids–Vg),源于在Vds =1V时Vg−为40V至40V。
目前共发表论文30余篇,小题引用1200余次。源于这种简便的技术可以为增强半导体2D材料的光电性能提供一条途径。
此外,小题还进行了XPS、XRD、拉曼和理论计算,解释了处理结果的基本物理原理。源于相关成果以题为Giant‐EnhancedSnS2 PhotodetectorswithBroadbandResponsethroughOxygenPlasmaTreatment发表在了Adv.Funct.Mater.上。
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